| 发明名称 | 形成沟渠及沟渠绝缘的方法 | ||
| 摘要 | |||
| 申请公布号 | TWI508222 | 申请公布日期 | 2015.11.11 |
| 申请号 | TW100102463 | 申请日期 | 2011.01.24 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 高境鸿 |
| 分类号 | H01L21/76 | 主分类号 | H01L21/76 |
| 代理机构 | 代理人 | 吴丰任 新北市永和区福和路389号6楼之3;戴俊彦 新北市永和区福和路389号6楼之3 | |
| 主权项 | 一种形成沟渠的方法，包含有：提供一基底，其上依序具有一垫层和一硬遮罩层，该基底包含有一第一浅沟渠及一第二浅沟渠；形成一图案化的填充层，其中该填充层填入该第一浅沟渠，并曝露出该第二浅沟渠；利用该填充层为一蚀刻抵挡层，蚀刻该第二浅沟渠的底部，形成一深沟渠；移除该填充层；在移除该填充层后，沈积一氧化层，以覆盖住该硬遮罩层并填满该第一浅沟渠及该深沟渠；以及进行一化学机械研磨制程，以完全去除位于该第一浅沟渠及该深沟渠之外的该氧化层及该硬遮罩层，直至暴露出该垫层。 | ||
| 地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号 | ||