发明名称 陶瓷颗粒梯度增强Cu热沉及其制备方法
摘要 本发明涉及一种陶瓷颗粒梯度增强Cu热沉及其制备方法,属于半导体激光器芯片封装与散热技术领域。解决了现有热沉与多种芯片材料的热膨胀系数不能同时匹配的问题。该热沉由两或三层结构组成,每层由20–60vol.%的陶瓷颗粒和40–80vol.%的Cu组成,其中,陶瓷颗粒为TiB<sub>2</sub>或TiB<sub>2</sub>-TiC混合物。该热沉每层陶瓷颗粒含量不同,对应的热膨胀系数不同,封装应用时,可将芯片焊接到与其热膨胀系数匹配的功能层,使半导体激光器芯片的热膨胀系数与热沉的功能层的热膨胀系数匹配,降低芯片与热沉之间的焊接内应力,提高半导体激光器的使用寿命;该热沉由于具有多层不同热膨胀系数的功能层,能同时满足多种具有不同热膨胀系数的芯片封装使用,且制备工艺简便、成本低,易于推广应用。
申请公布号 CN105018779A 申请公布日期 2015.11.04
申请号 CN201510413461.6 申请日期 2015.07.15
申请人 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 发明人 舒世立;佟存柱;吴昊;汪丽杰;田思聪;王立军
分类号 C22C9/00(2006.01)I;C22C32/00(2006.01)I 主分类号 C22C9/00(2006.01)I
代理机构 长春菁华专利商标代理事务所 22210 代理人 南小平
主权项 一种陶瓷颗粒梯度增强Cu热沉,其特征在于,由两层或三层不同陶瓷含量的功能层组成,每层功能层由20–60vol.%的陶瓷颗粒和40–80vol.%的金属Cu组成。
地址 130033 吉林省长春市东南湖大路3888号