发明名称 多层式储存快闪记忆体阵列的程式化方式及其切换控制方法
摘要
申请公布号 TWI506631 申请公布日期 2015.11.01
申请号 TW101117584 申请日期 2012.05.17
申请人 忆正科技(武汉)有限公司 发明人 霍文捷;邢冀鹏;周东霞
分类号 G11C16/10 主分类号 G11C16/10
代理机构 代理人 恽轶群 台北市松山区南京东路3段248号7楼;陈文郎 台北市松山区南京东路3段248号7楼
主权项 一种多层式储存快闪记忆体阵列的程式化方式的切换控制方法,该多层式储存快闪记忆体阵列由快闪记忆体控制器完成操作,其特征在于,在该多层式储存快闪记忆体阵列控制器对快闪记忆体进行程式化过程中选择跳过部分逻辑页进行程式化,且可选择跳过不同的方向上的LSB页,其中至少包括三种程式化方式:程式化方式一:在程式化过程中选择跳过多层式储存快闪记忆体物理页中水平方向上相邻的一组LSB页进行程式化,减少多层式储存快闪记忆体阵列在水平方向上的程式化次数,所述被跳过的逻辑页的编号Npass为:其中,i为自然数,且1≦i≦64;或,程式化方式二:在程式化过程中选择跳过部分逻辑页进行程式化,在程式化过程中跳过多层式储存快闪记忆体物理页中对角方向上相邻的两组LSB页,减少多层式储存快闪记忆体阵列在对角方向上的程式化次数,所述被跳过的逻辑页的编号Npass为:或者,其中,n为自然数,1≦n≦31;或,程式化方式三:在程式化过程中跳过多层式储存快闪记忆体物理页中间隔物理行的相邻两组的LSB页,减少多层式储存快闪记忆体阵列在垂直方向上的程式化次数,所述被跳过的逻辑页的编号Npass为:或者,其中,n为自然数,且0≦n≦31。
地址 中国