| 发明名称 | 一种p型导电薄膜Ta<sub>x</sub>Mo<sub>1-x</sub>S<sub>2</sub>及制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种p型导电薄膜Ta<sub>x</sub>Mo<sub>1-x</sub>S<sub>2</sub>及制备方法，在MoS<sub>2</sub>中掺入Ta元素，Ta的掺入量x为0.2～0.4。Ta掺入MoS<sub>2</sub>中可以适当减小MoS<sub>2</sub>的带隙值，有利于提高电子的迁移率。因而，Ta掺入MoS<sub>2</sub>中可形成一种p型导电薄膜Ta<sub>x</sub>Mo<sub>1-x</sub>S<sub>2</sub>，同时薄膜的内应力较小，并可获得较高的霍尔迁移率。本发明的制备方法，采用等离子体增强原子层沉积方法(PEALD)，在Si衬底上沉积Ta<sub>x</sub>Mo<sub>1-x</sub>S<sub>2</sub>薄膜后进行原位退火。本发明制备的p型导电薄膜Ta<sub>x</sub>Mo<sub>1-x</sub>S<sub>2</sub>，不仅内应力较小，并且具有较高的霍尔迁移率，可用于p型场效应晶体管的沟道材料。 | ||
| 申请公布号 | CN104992983A | 申请公布日期 | 2015.10.21 |
| 申请号 | CN201510295601.4 | 申请日期 | 2015.06.02 |
| 申请人 | 西北工业大学 | 发明人 | 冯丽萍;李大鹏;杜志楠;张晓东;张兴元;刘正堂 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 西北工业大学专利中心 61204 | 代理人 | 王鲜凯 |
| 主权项 | 一种p型导电薄膜Ta<sub>x</sub>Mo<sub>1‑x</sub>S<sub>2</sub>，其特征在于：Ta<sub>x</sub>Mo<sub>1‑x</sub>S<sub>2</sub>薄膜中Ta的掺入量x为0.2～0.4。 | ||
| 地址 | 710072 陕西省西安市友谊西路127号 | ||