| 发明名称 | 超结结构的半导体器件及其制造方法、光刻版 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种超结结构的半导体器件及其制造方法、光刻版，所述半导体器件的版图平面包括有源区以及位于所述有源区外围的分压环区域，其特征在于，所述有源区内具有沿第一方向延伸的多个第一P型掺杂区，所述多个第一P型掺杂区在第二方向上等间距排布，所述分压环区域内具有沿第一方向延伸的多个第二P型掺杂区，所述多个第二P型掺杂区在第二方向上等间距排布，所述第一P型掺杂区的击穿电压小于所述第二P型掺杂区的击穿电压，所述第二方向垂直于所述第一方向。本发明能够克服导通电阻与器件面积之间的矛盾，使得器件的击穿点始终在有源区内，保证器件正常工作。 | ||
| 申请公布号 | CN104992963A | 申请公布日期 | 2015.10.21 |
| 申请号 | CN201510444278.2 | 申请日期 | 2015.07.24 |
| 申请人 | 杭州士兰微电子股份有限公司 | 发明人 | 李敏;张邵华 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 张振军 |
| 主权项 | 一种超结结构的半导体器件，所述半导体器件的版图平面包括有源区以及位于所述有源区外围的分压环区域，其特征在于，所述有源区内具有沿第一方向延伸的多个第一P型掺杂区，所述多个第一P型掺杂区在第二方向上等间距排布，所述分压环区域内具有沿第一方向延伸的多个第二P型掺杂区，所述多个第二P型掺杂区在第二方向上等间距排布，所述第一P型掺杂区的击穿电压小于所述第二P型掺杂区的击穿电压，所述第二方向垂直于所述第一方向。 | ||
| 地址 | 310012 浙江省杭州市黄姑山路4号 | ||