半导体器件及其制造方法

摘要

一个目的是提供具有新生产性半导体材料和新结构的半导体器件。半导体器件包括：衬底之上的第一导电层；覆盖第一导电层的第一绝缘层；第一绝缘层之上与第一导电层的一部分重叠并且在表面部分具有结晶区的氧化物半导体层；形成为与氧化物半导体层相接触的第二和第三导电层；覆盖氧化物半导体层和第二、第三导电层的绝缘层；以及绝缘层之上与氧化物半导体层的一部分重叠的第四导电层。

主权项

一种半导体器件，包括：衬底之上的第一导电层；所述第一导电层之上的第一绝缘层；所述第一绝缘层之上的并且与所述第一导电层重叠的氧化物半导体层，所述氧化物半导体层包括沟道区，其中，所述第一导电层与所述沟道区重叠；形成为与所述氧化物半导体层相接触的第二导电层和第三导电层；所述氧化物半导体层、所述第二导电层和所述第三导电层之上的第二绝缘层；以及所述第二绝缘层之上的并且与所述沟道区重叠的第四导电层，其中所述氧化物半导体层包括第一区域和第二区域，其中所述第一区域比所述第二区域更接近所述第二绝缘层，其中所述第一区域包括晶体，并且所述晶体的c轴实质上垂直于所述第二绝缘层，其中所述第二区域具有微晶结构，以及其中所述第一区域中包括的所有金属元素包括在所述第二区域中，以及所述第二区域中包括的所有金属元素包括在所述第一区域中。