记忆体元件的形成方法;METHOD FOR FORMING MEMORY DEVICE

摘要

本揭露书提供一种记忆体元件的形成方法，包括：于一第一电极上形成一电阻转换层；于该电阻转换层上形成一第二电极；对该电阻转换层提供一形成电压使该电阻转换层之电阻变小；在提供该形成电压之后，对该电阻转换层提供一初始重置电压使该电阻转换层之电阻变大；在提供该初始重置电压之后，对该电阻转换层提供一第一设定电压，使该电阻转换层之电阻变小；在提供该第一设定电压之后，对该电阻转换层提供一第二重置电压，使该电阻转换层之电阻变大；以及在提供该第二重置电压之后，对该电阻转换层提供一第二设定电压，使该电阻转换层之电阻变小，其中该第二设定电压小于该第一设定电压。