IGBT芯片的控制方法

摘要

本发明公开了一种IGBT芯片的控制方法，包括：当IGBT处于正向导通时，控制开关Ｑ处于关闭状态，PN结J₂处于反向偏置状态，J₁处于正偏状态，由于隔离罩的作用，电场对电极N₂⁺无影响；当IGBT处于反向导通时，控制开关Ｑ处于开启状态，PN结J₁处于反偏状态，PN结J₂处于正偏状态，电子流出受P⁺势垒的影响受阻后，向电极N₂⁺运动，通过控制开关Ｑ运动流出。本发明在不影响性能参数的同时基本解决了拖尾（snapback），并有效的将二极管集成在IGBT内部，真正实现了IGBT既有低的导通压降又有良好的开关速度，大大提高了器件的可靠性。

主权项

一种IGBT芯片的控制方法，其特征在于：当IGBT处于正向导通时，控制开关Ｑ处于关闭状态，PN结J₂处于反向偏置状态，J₁处于正偏状态，由于隔离罩的作用，电场对电极N₂⁺无影响；当IGBT处于反向导通时，控制开关Ｑ处于开启状态，PN结J₁处于反偏状态，PN结J₂处于正偏状态，电子流出受P⁺势垒的影响受阻后，向电极N₂⁺运动，通过控制开关Ｑ运动流出。