发明名称 |
一种二维纳米SnSe<sub>2</sub>晶体材料的制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种二维纳米SnSe<sub>2</sub>晶体材料的制备方法,采用化学气相沉积法用单质硒和卤化锡在衬底上沉积所需厚度的SnSe<sub>2</sub>晶体;其中,沉积设备为水平管式炉,顺序设有上游低温区、中心温区以及下游低温区,所述单质硒和卤化锡分别独立但紧靠放置于上游低温区,所述衬底放置于下游低温区;利用不同温区的温度差,单质硒蒸汽和卤化锡蒸汽形成于上游低温区;两者反应生成SnSe<sub>2</sub>,并通过沉积载气带入下游温区,在衬底上沉积成为二维纳米SnSe<sub>2</sub>晶体材料。利用本发明方法,制备出了厚度均匀形态一致的二维纳米SnSe<sub>2</sub>晶体材料,厚度为3~10个原子层(1~3层SnSe<sub>2</sub>的厚度),在电子器件的应用中具有广阔前景。 |
申请公布号 |
CN104962990A |
申请公布日期 |
2015.10.07 |
申请号 |
CN201510437401.8 |
申请日期 |
2015.07.23 |
申请人 |
华中科技大学 |
发明人 |
张骐;周兴;甘霖;翟天佑 |
分类号 |
C30B25/00(2006.01)I;C30B29/46(2006.01)I;C30B29/64(2006.01)I |
主分类号 |
C30B25/00(2006.01)I |
代理机构 |
华中科技大学专利中心 42201 |
代理人 |
梁鹏 |
主权项 |
一种二维纳米SnSe<sub>2</sub>晶体材料的制备方法,其特征在于,反应区域在水平方向分为上游低温区、中心温区以及下游低温区;通过控制中心温区的温度,以及利用中心温区与上下游低温区的温差,使硒源和锡源蒸汽形成于上游低温区,并通过载气先带入中心温区反应生成SnSe<sub>2</sub>,再带入下游低温区在衬底上沉积成为二维纳米SnSe<sub>2</sub>晶体材料;所述硒源和锡源分别为单质硒和卤化锡,分别独立放置于上游低温区。 |
地址 |
430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号 |