| 摘要 |
<p>高電圧半導体装置のテーパ付けされたフィールドプレート誘電体を製造する処理工程が開示されている。例示的な処理工程は、酸化物の薄い層を堆積させることと、多結晶シリコンハードマスクを堆積させることと、レジスト層を堆積させて溝領域をエッチングすることと、深堀シリコン溝エッチングを実行することと、レジスト層を取り除くこととを含んでもよい。処理工程は、溝内にテーパ付けされた壁を形成するため、酸化物層を堆積させることと酸化物の異方性エッチングを行うこととの繰り返し工程をさらに含んでもよい。処理工程は、ポリを堆積させることと、半導体装置を形成するさらなる処理を実行することとをさらに含んでもよい。他の例示的な処理工程は、半導体ウエハ内に溝をエッチングすること、半導体ウエハ上に絶縁層を堆積させて溝内に隙間を形成すること、絶縁層上にマスク層を堆積させること、および、マスク層と絶縁層とを交互にエッチングしてテーパ付けされたフィールドプレート誘電体領域を形成することとを含んでもよい。</p> |
