| 发明名称 | LED及其制造方法 | ||
| 摘要 | 公开了一种量子点LED及其制造方法。该量子点LED包括：衬底，在衬底上形成的n-型半导体层，形成在n-型半导体层上并提供有多个孔洞的绝缘层，通过填充孔洞而形成的量子点，和在其中形成有量子点的绝缘层上形成的p-型半导体层。根据本发明的LED，量子点的尺寸和密度是可控的，从而使得LED的性质易于控制。同时，由于与使用量子阱的传统LED相比，可期待该LED具有高内部量子效率，因此可以得到高发光效率。 | ||
| 申请公布号 | CN100382339C | 申请公布日期 | 2008.04.16 |
| 申请号 | CN200380105404.7 | 申请日期 | 2003.12.08 |
| 申请人 | LG伊诺特有限公司 | 发明人 | 崔成哲 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01);H01L21/20(2006.01);H01S5/30(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘继富 |
| 主权项 | 1.一种量子点LED，包括：第一导电半导体层；形成在所述第一导电半导体层上并提供有多个孔洞的绝缘层；通过填充孔洞而形成的量子点；和形成在所述绝缘层上的第二导电半导体层，其中所述多个孔洞穿透所述绝缘层。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||