| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法、电路基板和电子设备 | ||
| 摘要 | 一种半导体装置及其制造方法、电路基板和电子设备。封装尺寸为接近芯片尺寸，除所谓应力缓冲层之外，能有效地吸收热应力的半导体装置。半导体装置(150)具有：有电极(158)的半导体芯片、设置于半导体芯片的上边用作应力缓冲层的树脂层(152)、从电极(158)直到树脂层(152)的上边所形成的布线(154)以及在树脂层(152)的上方在布线(154)上形成的焊料球(157)，还形成树脂层(152)使得在表面上具有凹部(152a)，并且经过凹部(152a)形成布线(154)。 | ||
| 申请公布号 | CN101488490A | 申请公布日期 | 2009.07.22 |
| 申请号 | CN200910004418.9 | 申请日期 | 1997.12.04 |
| 申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | 桥元伸晃 |
| 分类号 | H01L23/522(2006.01)I;H01L23/34(2006.01)I;H01L23/28(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/522(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 刘宗杰;王小衡 |
| 主权项 | 1. 一种半导体装置，其特征是，具有：半导体芯片；在上述半导体芯片的第1面上设置的电极；避开上述电极的至少一部分而设置在上述第1面的树脂层；从上述电极到上述第1树脂层上形成的的导通部；与位于上述第1树脂层上方的上述导通部连接的外部电极；以及设在上述半导体芯片的上述第1面相反侧的第2面上的散热器。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||