| 发明名称 | 多晶硅薄膜晶体管阵列基板及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种多晶硅TFT阵列基板及其制造方法，其能够在应用衍射曝光使半导体层和栅线层共同图案化之前，通过选择性地结晶化包括半导体层的沟道层的预定区域，确保在彼此相邻的子像素之间不发生信号失真。尤其，根据本发明多晶硅薄膜晶体管(TFT)阵列基板包括：形成在基板上的栅线和栅极；半导体层，其以与栅线和栅极相同的图案形成在栅线和栅极的下方并且除了栅线下方的预定区域之外被结晶成多晶硅；从半导体层延伸并且在栅极的右/左侧分别形成的源/漏极区域，杂质离子注入所述源/漏极区域中；与栅线和栅极电绝缘并且垂直于栅线的数据线，以及在栅极的上部与源/漏极区域相接触的源/漏极；以及与漏极相接触的像素电极。 | ||
| 申请公布号 | CN100517733C | 申请公布日期 | 2009.07.22 |
| 申请号 | CN200610167258.6 | 申请日期 | 2006.12.12 |
| 申请人 | 乐金显示有限公司 | 发明人 | 吴锦美 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人 | 徐金国;梁 挥 |
| 主权项 | 1.一种多晶硅薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，包括：形成在基板上的栅线和栅极；半导体层，其具有掺杂杂质离子的源/漏极区域；与该栅线相交叉的数据线，以及与所述源/漏极区域连接的源/漏极；以及与该漏极连接的像素电极，其中，栅线正下方的半导体层部分是由非晶硅形成，除了栅线正下方的半导体层部分之外的剩余半导体层部分结晶化为多晶硅；以及其中，未结晶化的非晶硅部分在栅线正下方并且位于彼此相邻的像素之间。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||