半导体建构、半导体制程方法及形成快闪记忆体结构之方法

摘要

一些实施例包括使离子反射离开光阻遮罩侧壁之垂直区以使得该等离子沿该等光阻遮罩侧壁之底部冲击底脚区且移除该等底脚区之至少大部分的方法。在一些实施例中，可在一在该光阻遮罩之下之材料中形成邻近该等光阻遮罩侧壁之沟槽。可形成另一材料以具有延伸进入该等沟槽之突出物。该等突出物可辅助将该另一材料固定至在该光阻遮罩之下之该材料。在一些实施例中，该光阻遮罩利用于图案化快闪记忆体结构。一些实施例包括经由牙状突出物使材料固定至下伏材料之半导体建构。