| 摘要 |
Ausführungsbeispiele der Erfindung betreffen allgemein integrierte Schaltkreise, Verfahren zum Betreiben eines integrierten Schaltkreises und Speichermodule. In einem Ausführungsbeispiel der Erfindung ist ein integrierter Schaltkreis mit einer magnetischen Vielfachzugriffsspeicherzelle bereitgestellt. Die magnetische Vielfachzugriffsspeicherzelle kann aufweisen eine Referenzschichtstruktur, die in einer ersten Richtung polarisiert ist, eine freie Schichtstruktur mit mindestens zwei anti-parallel gekoppelten ferromagnetischen Schichten, und mit einer Anisotropie in einer Achse parallel zu der ersten Richtung, wobei mindestens eine der mindestens zwei anti-parallel gekoppelten ferromagnetischen Schichten hergestellt ist aus einem Material mit einem temperaturabhängigen Sättigungs-Magnetisierungsmoment, und eine nicht magnetische Tunnelbarrierenschichtstruktur, angeordnet zwischen der Referenzschichtstruktur und der freien Schichtstruktur. |
