发明名称 Methods for manufacturing SiO2 dielectric layers using low temperature liquid phase deposition technology
摘要
申请公布号 KR100985213(B1) 申请公布日期 2010.10.05
申请号 KR20080040404 申请日期 2008.04.30
申请人 发明人
分类号 H01L21/31;H01L21/208 主分类号 H01L21/31
代理机构 代理人
主权项
地址