发明名称 半导体制造用反应炉之上盘(二)
摘要 【物品用途】;本创作关于一种半导体制造用反应炉之上盘,系对半导体基板之表面依序供给复数反应气体来制膜之反应炉的上盘。;【创作特点】;本创作整体主要由两大部分所构成,包括大致圆盘状盘体与半圆盘体,其中圆盘状盘体于圆心设有一圆形大孔,另于外圆周上隔设形成有三个明显朝外凸出之凸部,而外圆周上另形成有数个略为凹入之凹部,圆盘状盘体近外圆周处形成有两对由两个小孔所组成之小孔组;半圆盘体近外圆周处形成有一呈大致矩形之孔,而于圆心处以与圆盘状盘体之圆形大孔成为同心圆的方式形成有半圆弧部,藉此以呈现出不同的视觉感受。;使用状态参考剖面图系表示于本创作置于半导体制造用反应炉内部的状态。A-B-C剖面线之组合剖面图系表示剖面线之参考图之剖面图。
申请公布号 TWD146036 申请公布日期 2012.03.21
申请号 TW100301725 申请日期 2011.04.14
申请人 东京威力科创股份有限公司 日本 发明人 本间学;菱谷克幸
分类号 15-99 主分类号 15-99
代理机构 代理人 林秋琴 台北市大安区敦化南路1段245号8楼;何爱文 台北市大安区敦化南路1段245号8楼
主权项
地址 日本