半导体发光装置及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体发光装置及其制造方法。半导体发光装置包括发光部，以及在发光部上形成的电极。该电极包括：光反射层，被配置为反射从发光部所发出的光并且包括第一金属；第一籽晶层，直接形成在光反射层上并且包括第二金属；第二籽晶层，至少涂覆光反射层和第一籽晶层的侧表面，第二籽晶层包括第三金属；以及电镀层，至少涂覆第二籽晶层的顶部表面和侧表面，电镀层包括第四金属。

主权项

一种半导体发光装置，包括：发光部；以及电极，在所述发光部上形成，所述电极包括：光反射层，被配置为反射从所述发光部所发出的光，并且包括第一金属，第一籽晶层，形成在所述光反射层上，并且包括第二金属，第二籽晶层，所述第二籽晶层包括第三金属，以及电镀层，至少涂覆所述第二籽晶层的顶部表面和侧表面，所述电镀层包括第四金属；其中，所述第一金属、第二金属、第三金属、和第四金属各不相同；所述半导体发光装置进一步包括：包括铂的迁移阻挡层，所述迁移阻挡层设置在所述光反射层和所述第一籽晶层之间，其中，所述第二籽晶层涂覆所述光反射层、所述第一籽晶层以及所述迁移阻挡层的侧表面，并且涂敷所述第一籽晶层的顶部表面，其中，通过锌酸盐处理来形成所述第二籽晶层，所述第二籽晶层的所述第三金属的至少一部分置换所述第一籽晶层的所述第二金属的至少一部分，通过化学镀镍处理形成所述电镀层。