极紫外光微影系统与方法;EUV LITHOGRAPHY SYSTEM AND METHOD

摘要

本发明提供之极紫外光微影系统，包括：投影光学系统使光罩图案成像于晶圆上。投影光学系统包含2至5个反射镜，且反射镜系设置与设计以具有小于约0.50之数值孔径、成像于晶圆上的射线其影像场尺寸大于或等于约20mm；以及光瞳面包含中心遮拦。在一实例中，中心遮拦之半径小于或等于50%的光瞳面之半径。在一实例中，中心遮拦之面积小于或等于25%的光瞳面之面积。