| 摘要 |
Halbleiter-Bauelementstapel und daraus hergestellte Bauelemente mit Ge-reichen Bauelementschichten. Eine Ge-reiche Bauelementschicht ist über einem Substrat vorgesehen, wobei eine dotierte Ge-Ätz-Unterdrückungsschicht vom p-Typ (z. B. SiGe vom p-Typ) dazwischen vorgesehen ist, um ein Ätzen der Ge-reichen Bauelementschicht während der Entfernung einer Halbleiteropferschicht, die reicher an Si ist als die Bauelementschicht, zu unterdrücken. Die Auflösungsraten von Ge in nassen Ätzmitteln, wie wässrigen Hydroxidchemien, können mit der Einführung einer verborgenen dotierten Halbleiterschicht vom p-Typ in einen Halbleiterfilmstapel dramatisch verringert werden, was die Selektivität von Ätzmittel für die Ge-reichen Bauelementschichten verbessert. |
