发明名称 |
增益eDRAM存储单元结构 |
摘要 |
本发明属于存储器技术领域,提出了一种改善增益型eDRAM器件结构。本发明的一种增益eDRAM单元,包括读MOS晶体管、写MOS晶体管、写字线、写位线、读字线、读位线,读MOS管的栅极和写MOS管的漏区通过金属线连接共同构成存储结点,写MOS管、读MOS管分别具有栅极介质,其特征在于,所述的写MOS管、读MOS管具有沟槽沟道,写MOS管、读MOS管的栅极介质位于硅衬底沟槽中,栅极为向下凸起的凸面圆柱状。本发明可以明显改善器件的数据保持特性。 |
申请公布号 |
CN102867539B |
申请公布日期 |
2015.08.26 |
申请号 |
CN201110188441.5 |
申请日期 |
2011.07.05 |
申请人 |
复旦大学 |
发明人 |
林殷茵;李慧 |
分类号 |
G11C11/401(2006.01)I;G11C11/4063(2006.01)I |
主分类号 |
G11C11/401(2006.01)I |
代理机构 |
上海元一成知识产权代理事务所(普通合伙) 31268 |
代理人 |
吴桂琴 |
主权项 |
一种增益eDRAM存储单元结构,包括读MOS管、写MOS管、写字线、写位线、读字线、读位线,读MOS管的栅极和写MOS管的漏区通过金属线连接共同构成存储结点,写MOS管、读MOS管分别具有栅极介质,其特征在于,所述的读MOS管和写MOS管的结构包括:N阱杂质掺杂区域,定义于半导体基底中;有源区域,由沟槽绝缘区域隔离定义;栅极沟槽,设于N阱杂质掺杂区域中,呈凸面圆柱状,沟槽底部具有下凸的曲面轮廓,栅极,设于栅极沟槽中;以及正常的源漏掺杂结构;写MOS管的沟槽沟道增大了晶体管的有效沟道长度,读MOS管沟槽沟道增大了栅极寄生电容,将栅极电由二维扩展为三维结构。 |
地址 |
200433 上海市邯郸路220号 |