| 摘要 |
<p>Halbleitervorrichtung (101) mit einer ersten Elektrode (12) und einer Halbleiterschicht, die auf der ersten Elektrode (12) angeordnet ist, wobei ein Graben (5V) in der Halbleiterschicht an einer Oberfläche gebildet ist, die einer Oberfläche gegenüberliegt, die der ersten Elektrode (12) zugewandt ist, wobei die Halbleiterschicht enthält: eine erste Schicht (8) eines ersten Leitungstyps, die auf der ersten Elektrode (12) angeordnet ist, eine zweite Schicht (14) eines zweiten Leitungstyps, die auf der ersten Schicht (8) angeordnet ist, und eine dritte Schicht, die auf der zweiten Schicht (14) angeordnet ist und einen ersten Bereich (2) des ersten Leitungstyps und einen zweiten Bereich (3) des zweiten Leitungstyps aufweist, wobei der erste Bereich (2) und der zweite Bereich (3) in der Draufsicht gesehen in Form von Streifen in einer Richtung senkrecht zu dem Graben (5V) gebildet sind, wobei die Leistungshalbleitervorrichtung (101) weiter enthält: eine zweite Elektrode (11), die sowohl mit dem ersten Bereich (2) als auch mit dem zweiten Bereich (3) in Kontakt ist, eine Gateisolierschicht (9), die eine Innenwand des Grabens (5V) bedeckt, und eine Gateelektrode (EV), die in dem Graben (5V) eingebettet ist, wobei die Gateisolierschicht (9) dazwischenliegt, wobei die Gateelektrode (9) enthält: einen ersten Abschnitt (1), der durch den ersten Bereich (2) und die zweite Schicht (14) in die erste Schicht (8) ragt, und einen zweiten Abschnitt (13), der durch den zweiten Bereich (3) und die zweite Schicht (14) in die erste Schicht (8) ragt, wobei der zweite Abschnitt (13) tiefer in die erste Schicht (8) ragt als bis zu einer Tiefe, bis zu der der erste Abschnitt (1) in die erste Schicht (8) ragt.</p> |
