发明名称 一种基于磁场耦合的多电平变频器拓扑
摘要 本发明涉及一种基于磁场耦合的多电平变频器拓扑,其显著不同于其它变频器在于通过控制器的控制算法调节两个变频器单元输出基波和谐波的相位和幅值,通过磁耦合元件进行矢量合成后在两个变频器单元的输出负载上产生比直接输出电平数增加一个电平数、等效高频成分频率增加一倍的电压。其结构由几个部分组成,包括:控制器,变频器单元,逆变单元,磁耦合元件,输出端子。变频器单元不限于两电平变频器,也可以是多电平变频器;变频器单元可以采用多组独立直流电源供电,也可以采用单一直流电源供电。
申请公布号 CN104852617A 申请公布日期 2015.08.19
申请号 CN201510281757.7 申请日期 2015.05.28
申请人 中国船舶重工集团公司第七一二研究所 发明人 刘念洲;李明勇;赵红林;李强
分类号 H02M7/483(2007.01)I 主分类号 H02M7/483(2007.01)I
代理机构 武汉凌达知识产权事务所(特殊普通合伙) 42221 代理人 宋国荣
主权项 一种基于磁耦合的多电平变频器拓扑,其特征在于:包含:一控制器:用于调节变频器的输出基波和谐波的相位;一磁耦合元件组件:包括至少磁耦合元件,该磁耦合元件的输入端分别接在变频器的输出端,磁耦合元件的输出端接负载;该磁耦合元件组件使变频器在磁性耦合元件中产生的基波磁通及谐波磁通按矢量叠加,并依据磁耦合元件的变比感应出相应的电压作用在负载侧;通过控制器调节两个变频器输出基波和谐波的幅值及相位,并依据两个变频器输出电压的幅值设计磁耦合元件的变比,使奇数次高频谐波在磁耦合元件中相消,偶数次高频谐波在磁耦合元件中增强。
地址 430064 湖北省武汉市洪山区狮子山街汽校一村