发明名称 |
一种沟槽栅型MOS管及其制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种沟槽栅型MOS管,包括:P型外延层或P型硅衬底形成的N阱,N阱中形成有N+注入层,N阱的一侧并列排布有多个彼此串联的MOS结构;所述MOS结构包括:形成在所述P型外延层或P型硅衬底中沟槽内的栅氧化层,栅氧化层中形成有多晶硅栅,栅氧化层的一侧形成有N+注入层;每个多晶硅栅与其旁侧MOS结构的N+注入层相连,N阱中的N+注入层引出作为本器件的一连接端,最远离N阱的MOS结构的N+注入层引出作为本器件另一连接端。本发明还公开了一种所述沟槽栅型MOS管的制造方法。本发明的槽栅型MOS管与传统高压二极管器件比较,在达到耐高压击穿的功能的同时能得到较小正向导通电压,能实更大电流供电。 |
申请公布号 |
CN103035645B |
申请公布日期 |
2015.08.19 |
申请号 |
CN201210283170.6 |
申请日期 |
2012.08.10 |
申请人 |
上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
发明人 |
王飞;钟秋 |
分类号 |
H01L27/088(2006.01)I;H01L21/8234(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/088(2006.01)I |
代理机构 |
上海浦一知识产权代理有限公司 31211 |
代理人 |
丁纪铁 |
主权项 |
一种沟槽栅型MOS管,其特征是,包括:P型外延层或P型硅衬底中形成的N阱,N阱中形成有N+注入层,N阱一侧的P型外延层或P型硅衬底中并列排布有多个彼此串联的MOS结构;所述MOS结构包括:形成在所述P型外延层或P型硅衬底中沟槽内的栅氧化层,栅氧化层中形成有多晶硅栅,栅氧化层的一侧形成有N+注入层;N阱中的N+注入层引出作为本器件的第一连接端,每个多晶硅栅与其旁侧MOS结构中远离第一连接端的N+注入层相连,P型外延层或P型硅衬底中最远离N阱的N+注入层引出作为本器件第二连接端。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 |