両面ＵＶ反応性接着フィルムによるレーザ・プラズマエッチングウェハダイシング

摘要

ＵＶ反応性接着フィルムを用いたレーザ・プラズマエッチングによるウェハのダイシング。ウェハ上に形成されたＩＣ、並びにＩＣにインタフェースを提供する任意のバンプを覆うマスクが形成される。半導体ウェハは、両面ＵＶ反応性接着フィルムによってキャリア基板に結合される。マスクは、ギャップを有するパターニングされたマスクを提供するために、レーザスクライビングによってパターニングされる。パターニングは、そこからＩＣが形成される薄膜層の下の半導体ウェハの領域を露出させる。その後、半導体ウェハは、パターニングされたマスクのギャップを貫通してエッチングされ、これによってＩＣを個片化する。ＵＶ反応性接着フィルムは、キャリアを通してＵＶ照射により部分的に反応する。その後、個片化されたＩＣは、まだキャリア基板に付けられている部分的に反応した接着フィルムから、例えば、個別にピックアンドプレース機によって分離される。その後、ＵＶ反応性接着フィルムは、キャリア基板からのフィルムの完全な除去のために更に反応させることができる。