一种形成FinFET器件的鳍片的方法

摘要

本发明提供一种形成FinFET器件的鳍片的方法，包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成图案化的锗硅层；在图案化的锗硅层的顶部和侧壁上外延生长硅层；在半导体衬底上形成覆盖图案化的锗硅层的牺牲材料层；回蚀刻牺牲材料层，同时去除图案化的锗硅层顶部的硅层，直至牺牲材料层的顶部与图案化的锗硅层的顶部平齐为止；去除锗硅层；去除牺牲材料层以形成鳍片。根据本发明，通过外延的方式定义鳍片的特征尺寸，不会出现通过图形化的方式定义鳍片的特征尺寸时面临的鳍片的线宽粗糙度和线边缘粗糙度的精度控制问题，提升FinFET器件的性能。

主权项

一种形成FinFET器件的鳍片的方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成图案化的锗硅层；在所述图案化的锗硅层的顶部和侧壁上外延生长硅层；在所述半导体衬底上形成覆盖所述图案化的锗硅层的牺牲材料层；回蚀刻所述牺牲材料层，同时去除所述图案化的锗硅层顶部的硅层，直至所述牺牲材料层的顶部与所述图案化的锗硅层的顶部平齐为止；去除所述锗硅层；去除所述牺牲材料层以形成所述鳍片。