发明名称 |
功率模块用基板的制造方法 |
摘要 |
本发明在散热器接合时抑制陶瓷基板与散热层的剥离。本发明为一种在陶瓷基板(11)的一面接合由铜构成的电路层(12),且在陶瓷基板(11)的另一面接合由铝构成的散热层(13)的功率模块用基板(10)的制造方法,其具备:电路层接合工序,在陶瓷基板(11)上将电路层(12)钎焊接合;表面处理工序,在电路层接合工序之后,使陶瓷基板(11)的所述另一面的氧化膜厚度,至少在陶瓷基板(11)与散热层(13)的接合预定区域的周缘部,成为3.2nm以下;及散热层接合工序,在表面处理工序之后,在陶瓷基板(11)的所述另一面将散热层(13)钎焊接合。 |
申请公布号 |
CN104813466A |
申请公布日期 |
2015.07.29 |
申请号 |
CN201380061034.5 |
申请日期 |
2013.12.03 |
申请人 |
三菱综合材料株式会社 |
发明人 |
石塚博弥 |
分类号 |
H01L23/12(2006.01)I;H01L23/36(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/12(2006.01)I |
代理机构 |
北京德琦知识产权代理有限公司 11018 |
代理人 |
康泉;王珍仙 |
主权项 |
一种功率模块用基板的制造方法,其特征在于,具有:电路层接合工序,在陶瓷基板的一面,钎焊由铜构成的电路层;散热层接合工序,在所述陶瓷基板的另一面,钎焊由铝构成的散热层;及表面处理工序,在所述电路层接合工序之后、所述散热层接合工序之前,使所述陶瓷基板的所述另一面的氧化膜厚度,至少在所述陶瓷基板与所述散热层的接合预定区域的周缘部,成为3.2nm以下,制造出具有所述陶瓷基板、与该陶瓷基板的所述一面接合的所述电路层及与所述陶瓷基板的所述另一面接合的所述散热层的功率模块用基板。 |
地址 |
日本东京 |