发明名称 |
一种垂直型恒流二极管及其制造方法 |
摘要 |
本发明提出了一种垂直型恒流二极管及其制造方法,属于半导体技术领域。本发明垂直型恒流二极管包括依次连接的元胞结构和终端结构,所述元胞结构由多个结构相同并依次连接的元胞组成,所述终端结构由截止环和多个依次连接的场限环组成。本发明恒流二极管采用与外延层掺杂类型相反的P型掺杂半导体材料作为衬底,P型轻掺杂衬底会向N型轻掺杂外延层注入空穴,使得恒流二极管为空穴电流和电子电流两种载流子电流,增大了器件的电流密度;且不同掺杂类型的衬底会辅助沟道的耗尽,加快JFET区沟道的夹断,使夹断电压在4V以下。 |
申请公布号 |
CN104779303A |
申请公布日期 |
2015.07.15 |
申请号 |
CN201510080466.1 |
申请日期 |
2015.02.15 |
申请人 |
电子科技大学 |
发明人 |
乔明;张康;于亮亮;何逸涛;张波 |
分类号 |
H01L29/861(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/861(2006.01)I |
代理机构 |
电子科技大学专利中心 51203 |
代理人 |
李明光 |
主权项 |
一种垂直型恒流二极管,包括依次连接的元胞结构和终端结构,所述元胞结构由多个结构相同并依次连接的元胞组成,所述元胞包括P型轻掺杂衬底(2),位于P型轻掺杂衬底(2)之上的N型轻掺杂外延层(3),位于N型轻掺杂外延层(3)之中的第一扩散P型阱区(4),所述第一扩散P型阱区(4)为两个并分别位于元胞的两端,位于第一扩散P型阱区(4)之中的第一P型重掺杂区(5)和第一N型重掺杂区(7),位于第一N型重掺杂区(7)和N型轻掺杂外延层(3)之间且嵌入第一扩散P型阱区(4)上表面的耗尽型沟道区(6),位于N型轻掺杂外延层(3)和耗尽型沟道区(6)上表面的第一氧化层(10),覆盖整个元胞表面的第一金属阴极(9),位于P型轻掺杂衬底(2)下表面的金属阳极(8),所述第一P型重掺杂区(5)、第一N型重掺杂区(7)和第一金属阴极(9)形成欧姆接触;所述终端结构由截止环和多个依次连接的场限环组成,所述场限环包括P型轻掺杂衬底(2)、位于P型轻掺杂衬底(2)之上的N型轻掺杂外延层(3)、位于N型轻掺杂外延层(3)之中的第二扩散P型阱区(41)、位于第二扩散P型阱区(41)之中的第二P型重掺杂区(51)、第二氧化层(101)、第二金属阴极(91)、位于P型轻掺杂衬底(2)下表面的金属阳极(8),所述第二P型重掺杂区(51)与第二金属阴极(91)形成欧姆接触,所述两个场限环的第二扩散P型阱区(41)之间有间距;所述截止环包括嵌入N型轻掺杂外延层(3)端部上表面的第二N型重掺杂区(11),所述元胞结构、场限环和截止环之间均有一定间距。 |
地址 |
611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号 |