一种高压快速恢复二极管制造方法

摘要

本发明提供了一种高压快速恢复二极管的制造方法，该方法包括在均匀掺杂的N型单晶硅片正面通过场氧化和离子注入同时实施阳极区和终端场限环的P型杂质掺杂；氧化膜保护住阳极区和终端场限环区域后，采用扩散法对硅片正面的沟道截止环和硅片背面阴极区同时实施N型杂质掺杂；然后在高温扩散炉中对P型杂质和N型杂质同时实施热扩散推进；完成正面金属化、电子辐照少子寿命控制、去除背面损伤层后，实施背面金属化。本发明加工步骤简洁，硅片背面的深N型掺杂层有利于改善二极管的反向恢复特性和提高阻断电压。

主权项

一种高压快速恢复二极管的制造方法，所述方法包括硅片正面P型掺杂过程和背面N型掺杂过程，其特征在于：对均匀掺杂的N型单晶硅片经场氧化和P型杂质掺杂后再次氧化、光刻、去除正面沟道截止环掺杂窗口区域以及硅片背面的氧化膜并进行N型杂质掺杂，然后对单晶硅片进行热扩散推进，完成正面金属化、电子辐照少子寿命控制、背面减薄和背面金属化；所述热扩散推进为对N型掺杂区和P型掺杂区同时进行热扩散推进；所述的N型杂质掺杂包括所述单晶硅片正面沟道截止环的N型杂质掺杂和所述单晶硅片背面阴极的N型杂质掺杂；同时实现所述的单晶硅片的正面沟道截止环和所述单晶硅片的背面阴极区的N型杂质掺杂；所述的P型杂质掺杂包括所述单晶硅片的阳极区P型杂质掺杂和终端场限环P型杂质掺杂；同时实现所述单晶硅片阳极区和所述终端场限环的P型杂质掺杂。