半导体装置

摘要

本发明的目的为缩短邻接的两个绝缘栅极部的间隔，使半导体装置微细化。漂移区域配置于半导体基体之上，第一阱区域配置于漂移区域的上部，源极区域配置于第一阱区域的上部。各绝缘栅极部在位于漂移区域和源极区域之间的第一阱区域形成沟道（反转层）。第一主电极以构成单极二极管的方式与在一主表面露出的漂移区域接合，且与第一阱区域及源极区域连接。从漂移区域的一主表面的法线方向观察，多个绝缘栅极部具有相互平行的线状图案。邻接的绝缘栅极部之间沿绝缘栅极部延伸的方向排列有第一主电极与漂移区域的接合的接合部位及第一阱区域。沟道至少形成于漂移区域的一主表面的法线方向。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体基体；第一导电型的漂移区域，其配置于所述半导体基体之上；第二导电型的第一阱区域，其配置于所述漂移区域的内部，且其一部分露出于所述漂移区域的一主表面；第一导电型的源极区域，其配置于所述第一阱区域的内部，且其一部分露出于所述一主表面；三个以上的绝缘栅极部，其在位于所述漂移区域与所述源极区域之间的所述第一阱区域形成反转为第一导电型的沟道；第一主电极，其以构成单极二极管的方式与露出于所述一主表面的所述漂移区域接合，且与所述第一阱区域及所述源极区域连接，从所述一主表面的法线方向观察，所述三个以上的绝缘栅极部具有相互平行的线状图案，而且，在邻接的绝缘栅极部之间，沿绝缘栅极部延伸的方向排列所述第一主电极与所述漂移区域接合的接合部位及所述第一阱区域，且所述第一主电极与所述漂移区域接合的接合部位及所述第一阱区域沿着与绝缘栅部延伸的方向垂直的方向分别排列一列，所述沟道形成于所述一主表面的法线方向及与所述一主表面的法线垂直的方向，形成于与所述一主表面的法线垂直的方向的所述沟道的长度比形成于所述一主表面的法线方向的所述沟道的长度长。