| 发明名称 | 适于应用于集成电路的电容结构 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种适于应用于集成电路的电容结构，该电容结构包括：金属氧化物半导体电容，具有第一端点与第二端点；以及两相异结构的金属电容，形成在金属氧化物半导体电容上，且各耦接于第一端点与第二端点之间。该电容结构的电容值可以在局限的芯片面积下达到设计值，且又具有流通较大电流量的特性。 | ||
| 申请公布号 | CN103000624B | 申请公布日期 | 2015.07.01 |
| 申请号 | CN201110277643.7 | 申请日期 | 2011.09.19 |
| 申请人 | 群联电子股份有限公司 | 发明人 | 陈天龙 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01)I;H01L27/08(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 彭久云 |
| 主权项 | 一种电容结构，适于应用于集成电路，该电容结构包括：金属氧化物半导体电容，具有第一端点与第二端点；以及两相异结构的金属电容，形成在该金属氧化物半导体电容上，且各耦接于该第一端点与该第二端点之间，其中该两相异结构的金属电容包括第一金属电容与第二金属电容，其中该第一金属电容为多层平板金属电容，而该第二金属电容为多层叉合金属电容，其中该多层叉合金属电容包括梳状结构，并且该多层平板金属电容不具有该梳状结构。 | ||
| 地址 | 中国台湾苗栗县 | ||