| 发明名称 | 相变存储器结构及方法 | ||
| 摘要 | 本文中描述与相变存储器结构相关联的方法、装置及系统。一种形成相变存储器结构的方法包含：在相变存储器单元的第一导电元件上及电介质材料上形成绝缘体材料；形成与所述第一导电元件自对准的加热器；在所述加热器及形成于所述电介质材料上的所述绝缘体材料的至少一部分上形成相变材料；及在所述相变材料上形成所述相变存储器单元的第二导电元件。 | ||
| 申请公布号 | CN103119708B | 申请公布日期 | 2015.06.17 |
| 申请号 | CN201180045055.9 | 申请日期 | 2011.08.17 |
| 申请人 | 美光科技公司 | 发明人 | 刘峻 |
| 分类号 | H01L21/8247(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8247(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 宋献涛 |
| 主权项 | 一种形成相变存储器结构的方法，所述方法包括：在相变存储器单元的第一导电元件(208；308；408‑1、408‑2)上及电介质材料(204；404)上形成绝缘体材料(212；412‑1、412‑2)；通过对所述绝缘体材料(212；412‑1、412‑2)的一部分进行改质形成与所述第一导电元件(208；408‑1、408‑2)自对准的加热器(214；314；414‑1、414‑2)；在所述加热器(214；314；414‑1、414‑2)及形成于所述电介质材料(204；404)上的所述绝缘体材料(212；412‑1、412‑2)的至少一未经改质部分上形成相变材料(103；216；316；416‑1、416‑2)；及在所述相变材料(103；216；416‑1、416‑2)上形成所述相变存储器单元的第二导电元件(218；418‑1、418‑2)。 | ||
| 地址 | 美国爱达荷州 | ||