| 摘要 |
<p>Halbleitervorrichtung, welche enthält: ein Substrat (1), welches aus Siliziumkarbid ausgebildet ist, welches Störstellen eines ersten Leitfähigkeitstyps enthält; eine erste Driftschicht (2), welche aus Siliziumkarbid ausgebildet ist, welches Störstellen des ersten Leitfähigkeitstyps von einer ersten Konzentration enthält, welche gänzlich auf einer Oberfläche von dem Substrat angeordnet ist; eine zweite Driftschicht (3), welche aus Siliziumkarbid ausgebildet ist, welches Störstellen des ersten Leitfähigkeitstyps von einer zweiten Konzentration enthält, welche höher als die erste Konzentration ist, welche auf einer Oberfläche von der ersten Driftschicht angeordnet ist; eine Mehrzahl von Well-Regionen (4a, 4b), welche Störstellen eines zweiten Leitfähigkeitstyps enthält, welche in der zweiten Driftschicht angeordnet sind; eine Stromsteuerregion (15), welche in der zweiten Driftschicht (3) zwischen einem Paar von den Well-Regionen (4a, 4b) angeordnet ist; eine Gate-Elektrode (11), welche oberhalb der Stromsteuerregion (15) angeordnet ist; und einen Gate-Isolationsfilm (13), welcher zwischen der Gate-Elektrode und der Stromsteuerregion (15) angeordnet ist, wobei die Konzentration von Störstellen des ersten Leitfähigkeitstyps von der zweiten Driftschicht (3) gemäß der Tiefe von ihrer Oberfläche variiert, wobei die Konzentration von Störstellen des ersten Leitfähigkeitstyps von der zweiten Driftschicht (3) höher wird, wenn die Tiefe zunimmt und die Konzentrationen von Störstellen des ersten Leitfähigkeitstyps von der ersten und zweiten Driftschicht (2, 3) sich an einer Schnittstelle zwischen der ersten und zweiten Driftschicht (2, 3) unstetig ändern.</p> |
