发明名称 |
电介质陶瓷组合物、电子部件及其制造方法 |
摘要 |
本发明涉及电介质陶瓷组合物、电子部件及其制造方法。本发明涉及一种电介质陶瓷组合物,其含有含[(Ca<sub>1-x</sub>Sr<sub>x</sub>)O]<sub>m</sub>[(Zr<sub>1-y-z-α</sub>Ti<sub>y</sub>Hf<sub>z</sub>Mn<sub>α</sub>)O<sub>2</sub>](其中,0.991≤m≤1.010、0≤x≤1、0≤y≤0.1、0<z≤0.02、0.002<α≤0.05)所示组成的电介质氧化物的主要成分,以及相对于主要成分100摩尔份为0.1~0.5摩尔份的Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>和0.5~5.0摩尔份的SiO<sub>2</sub>。本发明的目的在于提供具有[(CaSr)O]<sub>m</sub>[(ZrTiHfMn)O<sub>2</sub>]系电介质陶瓷组合物所具有的优异的各种特性,并且即使使电介质层的厚度变薄例如为2μm以下,也能够防止破裂产生的电介质陶瓷组合物。 |
申请公布号 |
CN101550002B |
申请公布日期 |
2015.06.03 |
申请号 |
CN200910132522.6 |
申请日期 |
2009.03.31 |
申请人 |
TDK株式会社 |
发明人 |
野中智明;高石哲男;岩泽健太;佐佐木洋 |
分类号 |
H01B3/12(2006.01)I;C04B35/49(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I |
主分类号 |
H01B3/12(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
熊玉兰;李平英 |
主权项 |
电介质陶瓷组合物,其含有含(2)式所示组成的电介质氧化物的主要成分,以及相对于主要成分100摩尔份为0.1~0.5摩尔份的Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>和0.5~5.0摩尔份的SiO<sub>2</sub>,即使使电介质层的厚度为2μm以下,也能够防止破裂产生,[(Ca<sub>1‑x</sub>Sr<sub>x</sub>)O]<sub>m</sub>[(Zr<sub>1‑y‑z‑α</sub>Ti<sub>y</sub>Hf<sub>z</sub>Mn<sub>α</sub>)O<sub>2</sub>]...(2)其中,(2)式中,m、x、y、z和α满足:0.991≤m≤1.010,0≤x≤1,0≤y≤0.1,0<z≤0.02,0.005≤α≤0.03。 |
地址 |
日本东京 |