Herstellungsverfahren für eine Halbleitervorrichtung mit einer Deckschicht

摘要

Verfahren, welches Folgendes umfasst: Bilden einer Siliziumdeckschicht (802) auf einem Kanalgebiet einer PFET-Vorrichtung (204) und auf einer Dummy-Gatestruktur (212) einer NFET-Vorrichtung (206); Bilden einer Dummy-Schicht (902) aus dielektrischem Material auf der Siliziumdeckschicht (802); Strukturieren der Siliziumdeckschicht (802) und der Dummy-Schicht (902), wobei das Strukturieren die Siliziumdeckschicht (802) und die Dummy-Schicht (902) von der Dummy-Gatestruktur (212) der NFET-Vorrichtung (206) entfernt; Entfernen der Dummy-Gatestruktur (212) der NFET-Vorrichtung (206) nach dem Strukturieren, wobei das Entfernen der Dummy-Gatestruktur (212) einen Graben (1402) bereitstellt; Bilden einer metallischen Gatestruktur auf der Siliziumdeckschicht (802), um ein Gate der PFET-Vorrichtung (204) zu bilden; und Bilden einer anderen metallischen Gatestruktur in dem Graben (1402), um ein Gate der NFET-Vorrichtung (206) zu bilden.