发明名称 |
电隔离引线框架条带的共享引线的方法 |
摘要 |
一种引线框架条带包括多个连接的单元引线框架,每个单元引线框架具有裸片架板和连接至单元引线框架的外围的多个引线。半导体裸片被附接至裸片架板。模制化合物覆盖包括半导体裸片的单元引线框架。在引线框架条带的测试或者其它处理之前,间隙被刻蚀到被相邻单元引线框架共享的引线的区域中。该间隙至少大部分延伸通过共享引线。在后续处理之前,在单元引线框架的外围周围的模制化合物中做出局部切割,以将单元引线框架的引线电隔离。 |
申请公布号 |
CN104637829A |
申请公布日期 |
2015.05.20 |
申请号 |
CN201410645572.5 |
申请日期 |
2014.11.11 |
申请人 |
英飞凌科技股份有限公司 |
发明人 |
F·皮施纳;B·谢策勒;李德森;F·加布勒;江佩佩;林文发 |
分类号 |
H01L21/60(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/60(2006.01)I |
代理机构 |
北京市金杜律师事务所 11256 |
代理人 |
王茂华;张宁 |
主权项 |
一种处理包括多个连接的单元引线框架的引线框架条带的方法,每个单元引线框架具有裸片架板和连接至所述单元引线框架的外围的多个引线,所述方法包括:将半导体裸片附接至所述裸片架板;用模制化合物覆盖包括所述半导体裸片的所述单元引线框架;在所述裸片架板和所述引线的未被所述模制化合物覆盖的侧面上形成掩膜,所述掩膜具有暴露所述引线的如下区域的开口,所述区域由所述单元引线框架中的相邻单元引线框架共享;刻蚀所述共享引线的暴露区域以通过间隙分离所述共享引线,所述间隙至少大部分延伸通过所述共享引线;部分切割通过所述单元引线框架的所述外围周围的所述模制化合物,以将所述单元引线框架的所述引线电隔离,所述单元引线框架的所述外围周围的所述模制化合物包括所述共享引线中的所述间隙下方的所述模制化合物;以及在部分切割通过所述模制化合物之后,处理所述引线框架条带。 |
地址 |
德国诺伊比贝尔格 |