| 摘要 |
1. Токопроводящий канал, по меньшей мере часть которого образована телом из материала подложки, по меньшей мере часть которого представляет собой легированный участок, на поверхность или под поверхность которого имплантированы атомы, при этом по меньшей мере часть поверхности образует низкоомную зону токопроводящего канала, по меньшей мере часть которого проходит вдоль по меньшей мере части поверхности, причем подложка представляет собой алмаз, и с наружной стороны поверхности алмаза возникает поперечная проводимость.2. Токопроводящий канал по п.1, который является частью электрической цепи.3. Токопроводящий канал по п.1, в котором тело из материала подложки является частью электронного компонента, a цепь и электронный компонент являются частями электронного устройства.4. Токопроводящий канал по п.1, в котором остальная часть электронного компонента соединена с каналом посредством соединительных элементов.5. Токопроводящий канал по п.5, в котором значение удельного сопротивления низкомной зоны указанного канала меньше значения, примерно равного 2∙10Ом∙м.6. Токопроводящий канал по п.5, в котором значение удельного сопротивления низкомной зоны указанного канала меньше значения, примерно равного 2∙10Ом∙м.7. Токопроводящий канал по п.1, в котором имплантируемые атомы выбраны из следующих атомов: кислорода, водорода, лития, азота, фтора, хлора, серы, фосфора, мышьяка и их комбинаций.8. Токопроводящий канал по п.1, в котором по меньшей мере некоторые имплантированные атомы расположены на глубине примерно от 0,1 Å до 5000 Å под поверхностью подложки.9. Токопроводящий канал по любому из пп.1-8, в котором плотность имплантиров� |
