| 发明名称 | 应用自对准双构图技术制作半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种应用自对准双构图技术制作半导体器件的方法，包括：a）提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有待刻蚀材料层；b）在所述待刻蚀材料层上形成无定型碳层；c）在所述无定型碳层上形成帽层；d）在所述帽层上形成图案化的光刻胶层；e）对所述帽层进行刻蚀至露出所述无定形碳层；以及f）对所述无定形碳层进行刻蚀至露出所述待刻蚀材料层，以形成核心。本发明提供的方法能够保证刻蚀无定形碳层后形成的核心具有目标形状，进而保证随后形成在核心两侧的侧墙具有预定形状，这样可以使最终形成的半导体器件具有目标形状和目标线宽。 | ||
| 申请公布号 | CN104637807A | 申请公布日期 | 2015.05.20 |
| 申请号 | CN201310567557.9 | 申请日期 | 2013.11.14 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 韩秋华 |
| 分类号 | H01L21/311(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/311(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 高伟;付伟佳 |
| 主权项 | 一种应用自对准双构图技术制作半导体器件的方法，包括：a）提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有待刻蚀材料层；b）在所述待刻蚀材料层上形成无定型碳层；c）在所述无定型碳层上形成帽层；d）在所述帽层上形成图案化的光刻胶层；e）对所述帽层进行刻蚀至露出所述无定形碳层；以及f）对所述无定形碳层进行刻蚀至露出所述待刻蚀材料层，以形成核心。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||