半导体结构及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括阱区、介电结构、第一掺杂层、第二掺杂层与第一掺杂区。介电结构位于阱区上。介电结构具有相对的第一介电侧边与第二介电侧边。介电结构包括第一介电部分与第二介电部分，位于第一介电侧边与第二介电侧边之间。第一掺杂层位于第一介电部分与第二介电部分之间的阱区上。第二掺杂层位于第一掺杂层上。第一掺杂区位于第一介电侧边上的阱区中。阱区、第一掺杂层与第一掺杂区具有第一导电型。第二掺杂层具有相反于第一导电型的第二导电型。半导体结构可包括耐高压肖特基二极管。

主权项

一种半导体结构，包括：一阱区；一介电结构，位于该阱区上，且具有相对的一第一介电侧边与一第二介电侧边，其中该介电结构包括一第一介电部分与一第二介电部分，位于该第一介电侧边与该第二介电侧边之间；一第一掺杂层，位于该第一介电部分与该第二介电部分之间的该阱区上；一第二掺杂层，位于该第一掺杂层上；以及一第一掺杂区，位于该第一介电侧边上的该阱区中，其中该阱区、该第一掺杂层与该第一掺杂区具有一第一导电型，该第二掺杂层具有相反于该第一导电型的一第二导电型，一阴极被电性连接至该第一掺杂区，一阳极被电性连接至该第二介电侧边上的该阱区。