发明名称 |
一种CIGS太阳电池吸收层制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种CIGS太阳电池吸收层制备方法。使用本发明能够在较低温度下一步生成平整、致密、均匀、光电性能良好的CIGS太阳电池光吸收层薄膜,能显著降低CIGS太阳电池光吸收层薄膜的制备温度,简化工艺。本发明利用Se离子高的化学活性以及离子的动能对表面吸附、解离以及扩散作用的增强而降低反应沉积温度,在基底上采用磁控溅射CuGa合金靶和In靶、或CuGa合金靶和CuIn合金靶、或CuInGa合金靶的同时,采用硒离子束进行硒化反应,生成CIGS太阳电池吸收层,实现低温一步沉积。 |
申请公布号 |
CN104600153A |
申请公布日期 |
2015.05.06 |
申请号 |
CN201410766588.1 |
申请日期 |
2014.12.11 |
申请人 |
兰州空间技术物理研究所 |
发明人 |
王金晓;冯煜东;王艺;王志民;赵慨;速小梅;王虎;杨淼 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
北京理工大学专利中心 11120 |
代理人 |
付雷杰;杨志兵 |
主权项 |
一种CIGS太阳电池吸收层制备方法,其特征在于,将基底加热至250℃~350℃并保温,然后在基底上采用磁控溅射CuGa合金靶和In靶、或CuGa合金靶和CuIn合金靶、或CuInGa合金靶,同时采用硒离子束进行硒化反应,生成CIGS太阳电池吸收层。 |
地址 |
730000 甘肃省兰州市城关区渭源路97号 |