| 发明名称 | 一种干净无损转移有机半导体薄膜的新方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种转移有机半导体薄膜的方法，其具体步骤如下：利用干净的去离子水与疏水性界面上的有机半导体薄膜形成固-液界面，置于冷冻室水结成冰后，形成冰与薄膜的固-固界面，将冰与薄膜从疏水性界面分离并转移至其他疏水或亲水的界面基底，最后置于冷冻干燥机将冰升华后除去，实现有机半导体薄膜的干净无损转移。本发明提供的一种转移有机半导体薄膜的新方法，可替代传统以高分子为介质转移有机半导体薄膜的方法，低价环保，易于实验操作。 | ||
| 申请公布号 | CN104600219A | 申请公布日期 | 2015.05.06 |
| 申请号 | CN201410797710.1 | 申请日期 | 2014.12.19 |
| 申请人 | 合肥工业大学 | 发明人 | 邱龙臻;王庆贺;朱闵;庞博 |
| 分类号 | H01L51/56(2006.01)I;H01L51/48(2006.01)I;H01L51/40(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/56(2006.01)I |
| 代理机构 | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 | 代理人 | 余成俊 |
| 主权项 | 一种干净无损转移有机半导体薄膜的新方法，其特征在于：其具体步骤如下：利用干净的去离子水与疏水性界面上的有机半导体薄膜形成固‑液界面，置于冷冻室水结成冰后，形成冰与薄膜的固‑固界面，将冰与薄膜从疏水性界面分离并转移至其他疏水或亲水的界面基底，最后置于冷冻干燥机将冰升华后除去，实现有机半导体薄膜的干净无损转移。 | ||
| 地址 | 230009 安徽省合肥市合肥工业大学屯溪路校区193号 | ||