发明名称 第三族氮化物奈米线电晶体
摘要
申请公布号 TWI483398 申请公布日期 2015.05.01
申请号 TW101145434 申请日期 2012.12.04
申请人 英特尔股份有限公司 发明人 陈 汉威;赵 罗伯特;朱功 班杰明;狄威 吉伯特;卡瓦李耶罗 杰克;梅兹 马修;穆可吉 尼洛依;皮拉瑞斯提 拉维;拉多撒福杰维克 马可
分类号 H01L29/78;H01L21/28 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 一种第三族氮化物电晶体,包含:一奈米线,设置在一基板上,其中该奈米线之纵向长度进一步包含:一第一第三族氮化物材料之通道区;一源极区,与该通道区之第一端电性耦合;及一汲极区,与该通道区之第二端电性耦合,一闸极堆叠,包含一闸极绝缘体及一闸极导体,其完全地同轴环绕该通道区,及一第二第三族氮化物材料,沿着该通道区之至少一部分设置在该第一第三族氮化物材料及闸极堆叠之间。
地址 美国