半导体装置和其制造方法

主权项

一种半导体装置的制造方法，包含：在基板上形成闸极电极层；在该闸极电极层上形成绝缘层；在该绝缘层上形成源极电极层和汲极电极层；在该源极电极层上形成第一缓冲层并且在该汲极电极层上形成第二缓冲层；以及在该第一缓冲层和该第二缓冲层上形成半导体层，其中，该半导体层包括铟和氧，其中，该第一缓冲层和该第二缓冲层各包括具有n型导电型的金属氧化物，以及其中，该第一缓冲层和该第二缓冲层各具有高于该半导体层的载子浓度。