半导体装置

摘要

本发明的半导体装置100包括:具有n⁺型半导体层112和n^-型半导体层114的半导体基板110；被选择性地形成在n^-型半导体层114的表面上的p⁺型扩散区域120；被形成在n^-型半导体层114及p⁺型扩散区域120的表面上,在与n^-型半导体层114之间形成肖特基接合,且在与p⁺型扩散区域120之间形成欧姆接合的势垒金属层130,而作为重金属的铂被扩散在半导体基板110中使得浓度在n^-型半导体层114的表面达到最高。根据本发明的半导体装置100，在维持高反向击穿电压VR及低漏电流IR的状态下，能够降低正向压降VF，或缩短反向恢复时间trr。另外，根据本发明的半导体装置100，能够使软恢复特性变得出色。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，包括:半导体基板，具有第一导电型第一半导体层，和含有浓度比所述第一半导体层低的第一导电型杂质的第一导电型第二半导体层，且具有由所述第一半导体层及所述第二半导体层以该顺序层积的构造；第二导电型高浓度扩散区域，被选择性地形成在所述第二半导体层的表面上，含有导电类型与第一导电型杂质相反的第二导电型杂质，其浓度比所述第二半导体层所含有的第一导电型杂质的浓度高；以及势垒金属层，被形成在所述第二半导体层及所述高浓度扩散区域的表面上,在与所述第二半导体层之间形成肖特基接合,且在与所述高浓度扩散区域之间形成欧姆接合,在所述半导体基板中，重金属被扩散使得浓度在所述第二半导体层的表面达到最高。