发明名称 |
使用整块三维积体电路技术之完整系统晶片;COMPLETE SYSTEM-ON-CHIP (SOC) USING MONOLITHIC THREE DIMENSIONAL (3D) INTEGRATED CIRCUIT (IC) (3DIC) TECHNOLOGY |
摘要 |
实施方式中所揭示之实施例包括一种使用整块三维(3D)积体电路(IC)(3DIC)整合技术之完整系统晶片(SOC)解决方案。本发明包括定制在一整块3DIC内的层以及可能在穿过整块阶层间通孔(MIV)的阶层之间的随附短互连件以产生系统单晶片之能力的实例。特定言之,构造该3DIC之不同阶层以支援不同的功能性且遵守不同的设计准则。因此,该3DIC可具有一类比层、具有较高电压临限值之层、具有较低漏电流之层、不同材料之层以实施需要不同基底材料及其类似者的组件。不同于堆叠晶粒,上层可与下层大小相同,此系因为不需要外部布线连接。 |
申请公布号 |
TW201513299 |
申请公布日期 |
2015.04.01 |
申请号 |
TW103122569 |
申请日期 |
2014.06.30 |
申请人 |
高通公司 QUALCOMM INCORPORATED |
发明人 |
杜 杨 DU, YANG |
分类号 |
H01L25/065(2006.01);H01L23/52(2006.01) |
主分类号 |
H01L25/065(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
陈长文 |
主权项 |
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地址 |
美国 US |