发明名称 使用整块三维积体电路技术之完整系统晶片;COMPLETE SYSTEM-ON-CHIP (SOC) USING MONOLITHIC THREE DIMENSIONAL (3D) INTEGRATED CIRCUIT (IC) (3DIC) TECHNOLOGY
摘要 实施方式中所揭示之实施例包括一种使用整块三维(3D)积体电路(IC)(3DIC)整合技术之完整系统晶片(SOC)解决方案。本发明包括定制在一整块3DIC内的层以及可能在穿过整块阶层间通孔(MIV)的阶层之间的随附短互连件以产生系统单晶片之能力的实例。特定言之,构造该3DIC之不同阶层以支援不同的功能性且遵守不同的设计准则。因此,该3DIC可具有一类比层、具有较高电压临限值之层、具有较低漏电流之层、不同材料之层以实施需要不同基底材料及其类似者的组件。不同于堆叠晶粒,上层可与下层大小相同,此系因为不需要外部布线连接。
申请公布号 TW201513299 申请公布日期 2015.04.01
申请号 TW103122569 申请日期 2014.06.30
申请人 高通公司 QUALCOMM INCORPORATED 发明人 杜 杨 DU, YANG
分类号 H01L25/065(2006.01);H01L23/52(2006.01) 主分类号 H01L25/065(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 美国 US