| 摘要 |
Es wird ein fotolithografisches Verfahren zur Herstellung einer Struktur (1) in einem Strahlung emittierenden Halbleiterbauelement (10) angegeben mit den Schritten: – Bereitstellen eines Halbleiterwafers (6), der eine Halbleiterschichtenfolge (8) zur Bildung des Strahlung emittierenden Halbleiterbauelements (10) aufweist, – Aufbringen einer ersten Fotolackschicht (5) auf den Halbleiterwafer (6), – Bereitstellen einer Maske (3), welche mehrere Maskenelemente (4) aufweist, – Anordnen der Maske (3) relativ zu dem beschichteten Halbleiterwafer (6) an einer ersten Position, – Belichtung der ersten Fotolackschicht (5) und Abbilden der Maske (3) in der ersten Fotolackschicht (5), – Anordnen der Maske (3) oder einer anderen Maske relativ zum Halbleiterwafer (5) an einer von der ersten Position verschiedenen zweiten Position, erneute Belichtung der ersten Fotolackschicht (5) und Abbilden der Maske (3) in der ersten Fotolackschicht (5) oder – Aufbringen einer zweiten Fotolackschicht auf die erste Fotolackschicht (5), Anordnen der Maske (3) oder einer anderen Maske relativ zum Halbleiterwafer (6) an einer von der ersten Position verschiedenen zweiten Position und Belichtung der zweiten Fotolackschicht und Abbilden der Maske (3) in der zweiten Fotolackschicht, – Ausbilden einer strukturierten Fotolackschicht (5) und Strukturierung des Halbleiterwafers (6) mittels der strukturierten Fotolackschicht (5), wobei am Halbleiterwafer (6) mehrere Strukturelemente (2, 2a, 2b) ausgebildet werden, und wobei ein größter Abstand (a) zwischen den Strukturelementen (2) kleiner ist als ein größter Abstand (a’, a1) zwischen den Maskenelementen (4), – Vereinzelung des Halbleiterwafers (6) in eine Mehrzahl von Strahlung emittierenden Halbleiterbauelementen (10), die jeweils eine Struktur (1) aufweisen, die mehrere Strukturelemente (2, 2a, 2b) umfasst. |
