发明名称 点接触太阳能电池用的改良掺杂图案
摘要 本发明揭示对太阳能电池,尤其对点接触太阳能电池进行掺杂的方法。太阳能电池的一个表面可需要对若干部分进行n掺杂,而对其他部分进行p掺杂。可通过使用具有一种导电性的物质的毯覆式掺杂以及具有相反导电性的物质的图案化逆掺杂制程,来消除至少一个光刻步骤。在图案化注入期间掺杂的区域接收充足剂量以便完全反转毯覆式掺杂的效应,且实现与毯覆式掺杂相反的导电性。在一些实施例中,逆掺杂线路还用于降低多数载流子的横向串联电阻。
申请公布号 CN104396025A 申请公布日期 2015.03.04
申请号 CN201380033059.4 申请日期 2013.05.01
申请人 瓦里安半导体设备公司 发明人 尼可拉斯·P·T·贝特曼;约翰·W·奎夫
分类号 H01L31/068(2012.01)I;H01L31/18(2006.01)I 主分类号 H01L31/068(2012.01)I
代理机构 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人 张洋;臧建明
主权项 一种产生点接触太阳能电池的方法,其特征在于包括:提供具有第一导电性的衬底;以第二导电性的物质来对所述衬底的表面执行毯覆式注入,所述第二导电性与所述第一导电性相反,以便产生所述第一导电性的基极和所述第二导电性的发射极;使用所述第一导电性的物质来执行所述衬底的所述表面的图案化注入,以在所述表面上产生所述第一导电性的离散逆掺杂区域,其中所述逆掺杂区域电连接到所述基极;以及使用所述第二导电性的物质来执行所述衬底的所述表面的第二图案化注入,以产生重掺杂的发射极区域。
地址 美国麻萨诸塞州格洛斯特郡都利路35号