| 发明名称 | 用于无氮化硅的硅湿蚀刻的耐碱性负性光刻胶 | ||
| 摘要 | 提供用于制造半导体和MEMS器件的新光刻胶。所述底涂层优选包括溶解或分散在溶液体系中的硅烷。光刻胶层包括由苯乙烯和丙烯酸制备的第一聚合物和包括含环氧单体(优选含苯酚的单体)的第二聚合物。所述光刻胶层包括光酸产生剂，且优选是负性的。 | ||
| 申请公布号 | CN101657758B | 申请公布日期 | 2015.03.04 |
| 申请号 | CN200880012312.7 | 申请日期 | 2008.02.25 |
| 申请人 | 布鲁尔科技公司 | 发明人 | X·钟;T·D·弗莱;J·马尔霍特拉 |
| 分类号 | G03F7/004(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/004(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 朱黎明;王颖 |
| 主权项 | 一种可用作耐碱性保护层的光敏组合物，所述组合物是负性的，所述组合物包含溶解或分散在溶剂体系中的第一聚合物、第二聚合物、以及光生酸剂，其中：所述第一聚合物包含：<img file="FDA0000582700140000011.GIF" wi="819" he="1050" />其中：各R<sup>1</sup>独立地选自氢和C<sub>1</sub>‑C<sub>8</sub>烷基；各R<sup>2</sup>独立地选自氢和C<sub>1</sub>‑C<sub>8</sub>烷基；所述第二聚合物包含含环氧基团的重复单体。 | ||
| 地址 | 美国密苏里州 | ||