| 发明名称 | 一种电极片及其制备方法、储能装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及储能元件技术领域，公开了一种电极片及其制备方法、储能装置，其中，所述电极片的制备方法包括：在金属衬底上形成锗薄膜；利用功能化元素对锗薄膜进行拓扑化处理，以获得具有拓扑半导体特性的电极片。通过上述电极片制备方法制得的电极片的电导率高、内阻小。 | ||
| 申请公布号 | CN104362298A | 申请公布日期 | 2015.02.18 |
| 申请号 | CN201410729267.4 | 申请日期 | 2014.12.03 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 王龙;李延钊;乔勇;卢永春 |
| 分类号 | H01M4/139(2010.01)I;H01M4/13(2010.01)I;H01M4/86(2006.01)I;H01G11/24(2013.01)I;H01G11/86(2013.01)I | 主分类号 | H01M4/139(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人 | 黄志华 |
| 主权项 | 一种电极片的制备方法，其特征在于，包括：在金属衬底上形成锗薄膜；利用功能化元素对锗薄膜进行拓扑化处理，以获得具有拓扑半导体特性的电极片。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||