| 发明名称 | 形成高电子迁移率半导体器件的方法及其结构 | ||
| 摘要 | 在一个实施例中，形成半导体器件的方法可以包括：在半导体衬底上形成HEM器件。半导体衬底为半导体器件提供载流电极并且一个或者多个内部导体结构在半导体衬底与HEM的区域之间提供垂直电流路径。 | ||
| 申请公布号 | CN104319238A | 申请公布日期 | 2015.01.28 |
| 申请号 | CN201410095344.5 | 申请日期 | 2014.03.14 |
| 申请人 | 半导体元件工业有限责任公司 | 发明人 | P·莫恩斯;J·R·吉塔特 |
| 分类号 | H01L21/335(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/335(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 金晓 |
| 主权项 | 一种形成半导体器件的方法，包括：提供第一半导体材料的基础衬底，其中所述基础衬底限定所述半导体器件的第一载流电极；在所述基础衬底上方形成III族氮化物沟道层；在所述沟道层上方形成III族氮化物阻挡层；在所述阻挡层中形成所述半导体器件的第二载流电极；形成覆盖所述阻挡层的一部分并且与所述第二载流电极间隔开的所述半导体器件的栅极；以及形成从所述阻挡层穿过所述沟道延伸至所述基础衬底的第一内部导体结构，其中所述内部连接器结构形成从所述基础衬底到所述阻挡层的低电阻垂直电流路径。 | ||
| 地址 | 美国亚利桑那 | ||